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項目公示

《國家網(wǎng)絡信息安全產(chǎn)品和服務產(chǎn)業(yè)集群承載區(qū)—高新區(qū)電子芯片研發(fā)平臺基礎(chǔ)設(shè)施項目》環(huán)境影響評價第一次公眾參與公告信息

日期:2021-03-01

天津市海洋高新技術(shù)開發(fā)有限公司委托天津中環(huán)宏澤環(huán)保咨詢服務有限公司承擔《國家網(wǎng)絡信息安全產(chǎn)品和服務產(chǎn)業(yè)集群承載區(qū)高新區(qū)電子芯片研發(fā)平臺基礎(chǔ)設(shè)施項目》環(huán)境影響評價工作。根據(jù)《中華人民共和國環(huán)境影響評價法》等規(guī)定和生態(tài)環(huán)境部2018716日發(fā)布《環(huán)境影響評價公眾參與辦法》(生態(tài)環(huán)境部令第4號)的要求,現(xiàn)將擬建項目環(huán)評的有關(guān)情況進行第一次公示。

一、建設(shè)項目的名稱及概要

項目名稱:國家網(wǎng)絡信息安全產(chǎn)品和服務產(chǎn)業(yè)集群承載區(qū)高新區(qū)電子芯片研發(fā)平臺基礎(chǔ)設(shè)施項目

建設(shè)地點:本項目位于天津濱海高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)塘沽海洋科技園內(nèi)。廠址中心坐標為:東經(jīng)117.594272°,北緯39.075523°。廠址四至為:東至海平路、西至地界、南至云山道、北至云山北道(康祥道)。

建設(shè)內(nèi)容及規(guī)模:項目總建設(shè)用地面積20000m2,總建筑面積37020m2:其中地上建筑面積32370m2,地下建筑面積4650m2,容積率1.62,建筑密度45.65%,綠地率20%。其中包括:1#--工藝試驗凈化樓、2#--工藝試驗綜合樓、3#--動力站、4#--甲類庫房、5#--門衛(wèi)一、6#--門衛(wèi)二、7號區(qū)域--大宗氣體站等,并且本項目于工藝試驗凈化樓三層建設(shè)一條6英寸及以下化合物功率器件研發(fā)中試生產(chǎn)線。

二、建設(shè)項目的建設(shè)單位名稱和聯(lián)系方式

建設(shè)單位名稱:天津市海洋高新技術(shù)開發(fā)有限公司

聯(lián)系電話:18686058883

聯(lián)系人:劉新紅

地址:天津濱海高新區(qū)塘沽海洋科技園塘漢路 99

三、承擔評價工作的環(huán)境影響評價機構(gòu)名稱和聯(lián)系方式

評價單位:天津中環(huán)宏澤環(huán)保咨詢服務有限公司

聯(lián)系人:公天齊

聯(lián)系電話:18920237398

郵箱:412607579@qq.com

聯(lián)系地址:天津市自貿(mào)試驗區(qū)(中心商務區(qū))新華路3699號雙創(chuàng)大廈21

四、公眾意見表的網(wǎng)絡鏈接

附件下載:公眾參與調(diào)查表下載地址如下:

附件1 公眾意見表.docx

五、征求公眾意見的范圍和主要事項

為廣泛聽取社會各界對建設(shè)項目有關(guān)環(huán)境保護工作的意見和建議,特此進行公示。征求公眾意見主要事項如下:

1、對于項目的了解程度;

2、對于項目建設(shè)的態(tài)度,如果反對,請說明反對理由;

3、對項目建設(shè)可能產(chǎn)生的環(huán)境影響的認識;

4、對項目環(huán)境保護措施的意見、建議和具體要求;

5、其他一些有關(guān)環(huán)境保護方面的建議和要求。

六、公眾提出意見的主要方式

公眾可通過發(fā)送信函、傳真、電話聯(lián)系等方式,發(fā)表對項目建設(shè)的意見和建議。

請公眾在參與公眾參與調(diào)查過程中提供準確的個人信息,包括:姓名、職業(yè)、文化程度、家庭或單位住址及聯(lián)系電話,以便根據(jù)需要反饋信息。


所屬類別: 項目公示

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